DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的Zui高容量可达到4G，可显著提升内存模组的容量。

此为DDR2-667 CL5小型内存模组。该模组密度从512MB到2GB，由FBGA封装的DDR2-667MHz同步DRAM组成，用于安装在200脚侧边卡连接器插槽中。

JEDEC Standard DDR2 Speed Grade : 667Mbps SO-DIMM : 200-pin Memory Organization : x8 , x16 FBGA DRAM chip DDR2 DRAM interface : SSTL_18 CAS latency : 5-5-5 Bandwidth : 5300MB/s VDD voltage : 1.8+-0.1V VDD : 1.8+-0.1V Standard OP Temp.: 0℃~+85℃ Industrial OP Temp.:-40℃~+85℃ Serial presence detect with EEPROM. PCB height : 1.181 inch RoHS Compliant Application : NoteBook