DDR内存的数据带宽是传统PC100或PC133 SDRAM的两倍，并且特别适用于对CPU内存性能要求极高的高性能服务器和工作站。正如其名，DDR SDRAM是双倍数据速率SDRAM。一个时钟周期可表示为一个方波，“0”到“1”之间为上升缘，“1”到“0”之间为下降缘。在SDRAM中，只使用其中一个缘，但DDR SDRAM使用两个缘，使数据传输率提高了两倍。

此为DDR-400 CL3小型内存模组。该模组密度从256MB到1GB，由DDR-400 MHz同步DRAM组成，用于安装在200脚侧边卡连接器插槽中。

 

JEDEC Standard DDR Speed Grade : 400Mbps SO-DIMM : 200-pin Memory Organization : x8 , x16 DRAM chip DDR DRAM interface : SSTL_25 CAS latency : 3-3-3 Bandwidth : 3200MB/s VDD voltage : 2.6+-0.1V VDD : 2.6+-0.1V Standard OP Temp.: 0℃~+70℃ Industrial OP Temp.: -40℃~+85℃ Serial presence detect with EEPROM PCB height : 1.181 inch RoHS Compliant Application : NoteBook